igbt為四層結(jié)構(gòu)，使體內(nèi)存在一個寄生晶閘管，等效電路如圖4所示。在npn管的基極與發(fā)射極之間存在一個體區(qū)短路電rs，p型體區(qū)的橫向空穴流會產(chǎn)生一定的壓降，對j3來說相當(dāng)于一個正偏置電壓。在規(guī)定的范圍內(nèi)，這個正偏置電壓不大，npn管不會導(dǎo)通。當(dāng)ic大于一定程度時，該正偏置電壓足以使npn管開通，進(jìn)而使npn和pnp管處于飽和狀態(tài)，于是寄生晶閘管開通，柵極失去控制作用，即擎住效應(yīng)，它使ic增大，造成過高的功耗，甚至導(dǎo)致器件損壞。溫度升高會使得igbt發(fā)生擎住的icm嚴(yán)重下降[2]。

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在igbt關(guān)斷的動態(tài)過程中，如果dvce/dt越高，則在j2結(jié)中引起的位移電流cj2dvce/dt越大，當(dāng)該電流流過體區(qū)短路電阻rs時，可產(chǎn)生足以使npn晶體管開通的正向偏置電壓，滿足寄生晶閘管開通擎住的條件，形成動態(tài)擎住效應(yīng)。溫度升高會加重igbt發(fā)生動態(tài)擎住效應(yīng)的危險。

(2) 過高的di/dt會通過igbt和緩沖電路之間的線路電感引起開關(guān)時的電壓過沖

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